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網(wǎng)格畸變測(cè)試靶(Grids)

網(wǎng)格陣列位于50mm×50mm,1.5mm厚度的玻璃基底上(玻璃基底上真空濺射低反射率的鉻制成),100µm、250µm500µm、1000µm2000µm網(wǎng)格間距,25×25陣列。

網(wǎng)格分布用于決定成像系統(tǒng)的畸變。理想情況下,網(wǎng)格的水平和豎直線是垂直的,畸變圖像會(huì)在線上顯示扭曲,這種圖像可以用于修正畸變。

 

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貨號(hào)

產(chǎn)品描述

規(guī)格

R1

Grids with line pitch of 2000微米,間距2000微米

個(gè)

R2

Grids with line pitch of 1000微米,間距1000微米

個(gè)

R3

Grids with line pitch of 500微米

個(gè)

R4

Grids with line pitch of 250微米

個(gè)

R10

Grids with line pitch of 100微米

個(gè)

 

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